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据交大新闻网报道，该校材料学院材料创新设计中心周健教授关于太赫兹光照对材料热力学性质影响的理论，有多项进展发表在刊物上。
目前，低维量子材料及其原子/电子结构在外场作用下的相变，受到了物理学家、化学家、材料学家们的广泛关注，其中又以低频光场对半导体材料结构和性质的影响为典型。
周健教授与国内外专家合作，提出了太赫兹光照对材料热力学性质影响的理论，给出了太赫兹光照下材料结构相变的公式。相关工作以“Terahertz Driven Phase Transition in Two-Dimensional Multiferroics”为题发表在近期出版的 npj 2D Materials and Applications 上。
与此同时，他们还指出太赫兹光照可以实现快速、无损地实现过渡金属二硫化物(TMDC)单层结构在H和T’之间的相变，并预言了光频率、强度、偏振方向对两种相稳定性的影响，提出了拓扑相变方案(图2)，以及通过理论分析和分子动力学研究，指出这种方案具有产热小、响应快、易调控等优点。研究发表于近期出版的 Advanced Science上。
在此之前，周健教授课题组与国内外专家关于低频光诱导材料相变方面的合作研究，已经数次发表在领域权威期刊上。
编译/前瞻经济学人APP资讯组
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